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STD10P6F6  与  SPD09P06PL G  区别

型号 STD10P6F6 SPD09P06PL G
唯样编号 A3-STD10P6F6 A-SPD09P06PL G
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P CH 60V 10A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 250mΩ
上升时间 - 168ns
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 42W
Qg-栅极电荷 - 14nC
栅极电压Vgs - 10V
正向跨导 - 最小值 - 1.8S
典型关闭延迟时间 - 49ns
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 TO-252-3 -
连续漏极电流Id - 9.7A
工作温度 - -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - SPD09P06
长度 - 6.5mm
下降时间 - 89ns
典型接通延迟时间 - 11ns
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 12,500 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10P6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 12,500 当前型号
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

¥3.135 

阶梯数 价格
20: ¥3.135
100: ¥2.409
1,250: ¥2.101
2,500: ¥2.002
2,520 对比
IRFR9024NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A D-Pak

暂无价格 0 对比
SPD09P06PL G Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD09P06PLGBTMA1_60V 9.7A 250mΩ 10V 42W P-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRFR9024NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) 175mΩ@6.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 55V 11A D-Pak

暂无价格 0 对比
AUIRFR9024N Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 11A 175mΩ 38W 车规

暂无价格 0 对比

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